- 莫大康;
集成电路芯片的制造技术已经进入16/14nm时代,10nm甚至7nm时基本上可以使用现在同样的制造设备,似乎已无悬念。业界普遍认为5nm肯定是个坎,如果EUV光刻设备不能准备好,逼迫要采用五次图形曝光技术(FP)。另一方面,晶体管结构的创新和半导体材料的创新、互连技术与工艺控制技术都是5nm工艺将面临的关键点。
2016年03期 No.270 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 756K] - K.Welikow;A.Sosa;R.Broeke;D.Tsiokos;N.Pleros;A.Bakker;T.Tekin;王博文;王杰;
远端光接入点的设计是将光载无线通信(Radio-Over-Fiber,RoF),60GHz无线(片上带宽10~20GHz)和光纤到户(FTTH)服务集成在一起。器件在磷化铟的芯片上集成了若干可调无线电频率的发射器和光学接收器。可以在1 500到1 570nm波长范围的4个带宽内同时工作。设计芯片是在两个晶圆厂的多项目晶圆(Multi-project Wafer,MPW)的框架下进行。通过专用的设计工具和工艺设计工具包(Process Design Kits,PDKs),充分利用了通用集成技术和标准的结构单元(Building Blocks,BBs)带来的便利。
2016年03期 No.270 25-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 1869K] - Susan Hong;
微控制器MCU产品面对应用设备提供多种功率状态时,包括mW/MHz的工作电流与睡眠模式的漏电流等传统规格,已经变得越来越难评估。关注低功耗MCU的测量标准ULPBench,以及MCU产品在低功耗竞赛中取得实际价值,MCU产品在睡眠模式所使用的时间、高速和低速频率,有助于开发人员决定哪一种结果更适用于其设计方案。
2016年03期 No.270 30-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 889K] - 程朝阳;蒋绪海;
无线充电系统中,电磁振荡产生电磁波的频率越高,其向空间辐射能力的强度就越大,电磁振荡的频率至少要高于100KHZ,才有足够的电磁辐射。采用DIY设计方案的无线充电电路图,仿真实验能够点亮发光二极管且能给充电电池充电。
2016年03期 No.270 33-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 1201K] - Juniper;
2016年全球科技十大发展趋势:虚拟现实(VR)生态成形,迎向商用元年;下一代通讯标准打造新兴联网应用情境;体验更便利与安全的移动支付服务;开放金融API,跨界融合创新服务;资源共享体验新生活,再造新商机;工业4.0带动企业信息架构重整商机;资讯大厂积极布局架构虚拟垂直产业竞争力;中国制造持续撼动全球半导体产业;PC产品跳脱传统Wintel的产品思维;从OS着手解决物联网互通议题。
2016年03期 No.270 36-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 727K]
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<正>中国电子集团控股有限公司的全资子公司北京中电华大电子设计有限责任公司与全球领先的200mm纯晶圆代工厂华虹半导体有限公司共同宣布,华大电子采用华虹半导体0.13微米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon)嵌入式非易失性存储eNVM(Embedded Non-Volatile Memory)工艺生产的双界面金融IC卡芯片CIU9872B获得国际EMVCo芯片安全认证证书。这标志着华大
2016年03期 No.270 43页 [查看摘要][在线阅读][下载 511K] <正>中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者北京大学教授徐洪起等在《纳米快报》(Nano Letters)上发表了高质量立式InSb二维单晶纳米片的研究成果。在Ⅲ-Ⅴ族半导体中,InSb化合物具有最窄禁带宽度、最高电子迁移率、最小有效质量和最大g因子,是制备高速低功耗电子器件、红外光电子器件及进行自旋电子学研究与拓扑量子计算等前沿物
2016年03期 No.270 43页 [查看摘要][在线阅读][下载 511K] -
<正>欧盟(E.U.)最近启动一项为期三年的"为下一代高性能CMOS SoC技术整合Ⅲ-Ⅴ族纳米半导体"(INSIGHT)研发计划,这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体(CMOS)上整合Ⅲ-Ⅴ族电晶体通道。其最终目的则在于符合未来的5G规格要求,以及瞄准频宽更广、影像解析度更高的雷达系统。以IBM与隆德大学为主导的这项计划可分为两
2016年03期 No.270 44页 [查看摘要][在线阅读][下载 715K] <正>我国科技重大专项的巨额投入再见成效。科技部、财政部等相关部门负责人日前对宽带移动通信国家科技重大专项任务推进及组织管理情况进行联合调研时表示,在华为、中兴等国内龙头企业的积极推动下,在国内高校的大力协同下,我国5G前期研发工作在国际上处于优势地位。我国5G技术研发试验将在政府的领导下,依托新一代宽带无线移动通信网国家科技重大专项,由IMT-2020(5G)推进组负责实施。其主要目标是支
2016年03期 No.270 44页 [查看摘要][在线阅读][下载 715K] -
<正>华为2016年智能手机销售有满足不同消费族群的新品推出,辅以增加营销资源的投入、人力扩增与品牌力度强化,让智能手机销售金额出现30%的成长性。华为智能手机销售挤进全球前三大品牌后,预期2016年华为智能手机总出货量可达1.2亿~1.3亿只。另外,华为在非手机产品的经营力度也转积极。除穿戴式装置包括智能手环、智能手表将续有
2016年03期 No.270 44页 [查看摘要][在线阅读][下载 715K]
<正>2016年1月份上海集成电路各行业的销售收入及同比增长情况如下:行业1月份销售收入同比增长设计业25.57(亿元)48.92%芯片制造业17.86(亿元)23.68%封装测试业24.61(亿元)-0.4%设备材料业6.12(亿元)-0.4%合计74.16(亿元)18.71%根据上海集成电路行业统计网对上海市138家主要集成电路企业的跟踪统计,2016年1月份上海市集成电路产业销售规模为74.16亿元,与2015年
2016年03期 No.270 45页 [查看摘要][在线阅读][下载 488K] -
<正>上海市经济信息化系统2016年工作会议上,周波副市长充分肯定了2015年在经济下行压力情况下,经济和信息化系统在市委市政府的坚强领导下,团结一致、攻坚克难、逆势而上、直面挑战、保持战略定力。在改革创新、稳增长、调结构、促融合,以及党的建设方面取得了一定的成效,也为上海市"十二五"的收官做出了应有的贡献。同时指出下一步要准确把握发展形势,树立信心,抓好
2016年03期 No.270 45页 [查看摘要][在线阅读][下载 488K] <正>作为集成电路技术载体的半导体高端设备在集成电路技术和产业发展中发挥了核心的基础作用。全球半导体设备制造厂商企业正在逐渐由最初的多而散的行业形态发展形成以技术垄断和市场垄断为主要手段的市场格局。虽然,国内半导体设备制造业处于起步和发展成长上升阶段,但大多数企业建立时间不长,小而分散。2015年国产半导体设备在国内市场占有率仅
2016年03期 No.270 45页 [查看摘要][在线阅读][下载 488K] -
<正>上海先进半导体制造股份有限公司在"在深化拓展国际市场的同时,以建立建设国内战略产业联盟为中心,全力以赴开拓国内新市场"的中长期发展规划纲要指导下,充分发挥在模拟电路、功率器件,特别是IGBT等特殊工艺的制造技术优势。继与中国中车、深圳比亚迪微电子结成战略产业合作联盟之后,于2016年2月16日,上海先进与国网智能电网研究院在北京成功签署了战略合作协议,积极
2016年03期 No.270 46页 [查看摘要][在线阅读][下载 738K] <正>为大力实施创新驱动发展战略,加快建设具有全球影响力的科技创新中心,根据国家和上海市科技发展规划,推进上海研发平台建设领域科技进步,提升创新能力,实现经济社会可持续发展,上海市科学技术委员会特发布本指南。支持重点:软件开发与认证、智能制造、大数据、新能源与储能等领域的专业技术服务平台建设。建设期限:不超过2年。支持方式:验收后参加
2016年03期 No.270 46页 [查看摘要][在线阅读][下载 738K]