- 陈菊英;
电路的集成度日益提高,单元图形的尺寸日益微化,污染物对器件的影响也愈加突出,以至于洁净表面的制备已成为超亚微米的关键技术。人们普遍对外来污染、硅片的正面污染非常警觉。在生产线上FEOL区间,一些来自上工序的硅片背面污染,会对下工序产生实际的二级污染的影响。寻找实际生产中会对下工序产生背面二级污染影响的源头,并对去除生产线硅片背面金属污染的方法进行了研究,并提出一种行之有效的去除背面金属污染的方法。
2016年07期 No.274 25-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 1714K] - 慈朋亮;
碳杂质浓度对SiGeC异质结晶体管直流和频率特性的影响,实验表明通过在外延层中引入碳杂质可以抑制基区扩展效应。对具有相同碳和锗杂质浓度但是杂质分布不同的SiGeC异质结晶体管进行比较可以发现,采用经过适当设计的SiGe/Si基区杂质分布,可以得到静态特性(β=180,BVCEO=6.4V)和动态特性(fT=28GHz)良好的SiGeC异质结晶体管。
2016年07期 No.274 29-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 2196K] - 陈菊英;姚亮;
铝互连线采用三明治结构的多层金属薄膜的堆叠(stacked structure),底层与顶层是钛和氮化钛的组合,中间层用铝合金薄膜,在集成电路和半导体器件制造中有着广泛的应用,但AL Grain是个绕不过去的问题。从超深亚微米0.11μm制程中严重的AL Grain首枚效应着手,在不改变堆叠结构、厚度和主要工艺条件情况下,铝合金薄膜制备中不同工艺步骤间追加Ar cooling。通过实验找到一种优化工艺,在保证可靠性的前提下,有效地改善铝表面的晶粒大小,提高光刻层间的套刻精度。
2016年07期 No.274 34-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 1816K] - 张朝锋;
在NAND flash测试中,需要对其使用寿命进行监控和测试,以便有效筛选出不合格产品,避免在后续封装以及使用过程中造成不必要的经济损失。关于NAND flash的寿命测试,即检查NAND flash能承受的最大编程/擦除次数,目前常规使用的编程以及擦除的方法需要很长测试时间,提高了测试成本。提出一种测试NAND flash寿命的快速测试方法,将寿命测试时间由原来的1.5h减小到0.13h,节约91%的寿命测试时间。
2016年07期 No.274 38-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 863K]
<正>2008年后,随着集成电路专项等重大专项的启动,我国开始围绕集成电路产业链加快部署创新链,并逐渐形成了产业链、创新链与金融链"三链融合"的发展局面。展览中,一批代表性企业和科研单位分别展示了基于专项研发成果形成的高端产品,包括:北京北方
2016年07期 No.274 45页 [查看摘要][在线阅读][下载 509K] -
<正>根据傅新华副主任"十三五"期间要大力发展上海集成电路高端装备产业的指示。上海市集成电路行业协会于4月11日和5月5日两次召集上海8家主要半导体设备企业和部分零部件制造企业进行座谈,深入讨论了上海发展集成电路高端装备的重大战略意义,
2016年07期 No.274 45页 [查看摘要][在线阅读][下载 509K] <正>根据上海市集成电路行业协会对本市168家集成电路主要企业的跟踪统计,2016年5月份全市集成电路产业销售收入为75.4亿元,比去年同期增长7.98%,比今年4月份稍有1.11%上升。随着集成电路市场逐步进入销售旺季,可以预料以后数月上海集成电路产业的销售收入将会在小幅波动中逐步增长。预计2016年下半年全球半导体产业的
2016年07期 No.274 46页 [查看摘要][在线阅读][下载 531K] -
<正>2016年度"第十四届中国半导体封装测试技术与市场年会"在南通召开,大会主要研讨当下封装测试市场发展趋势、先进封装测试技术和绿色封装等行业热点问题,并邀请政府领导及业界知名专家学者阐述我国半导体产业政策和发展方向,同时发布中国半导体封装产业一年一度的调研报告。SICA协会蒋守雷秘
2016年07期 No.274 46页 [查看摘要][在线阅读][下载 531K] <正>中芯国际发布公告,其与LFoundry Europe、Marsica订立买卖协议,将以4 900万欧元收购目标公司LFoundry S.r.l.之70%企业资本。目标公司LFoundry S.r.l.及其全资附属公司LFoundry Japan是纯晶圆代工厂,经营制造硅片业务,基于顾客专用模拟、混合信号及专业技术、图像
2016年07期 No.274 46页 [查看摘要][在线阅读][下载 531K]