集成电路应用

 

2006年09期目次

产业观察

  • 跳出中国低劳动力成本的“紧箍咒”

    姚钢;

    <正> 杨元庆的年薪由去年的424万港元增至今年的2175万港元,整体董事的酬金则由前年度的1270万港元,升至去年度的1.75亿港元,激增12.8倍。杨元庆及联想高管薪金激增成了业界关注热点。而杨元庆在日前对此事的首次回应中表示,联想自从并购 IBM PC 业务后,联想国际高管和中国高管有很大的差距,这种情况不可能长期持续,联想薪金将在3～5年内与国际接轨。可见,在中国公司加快国际化步伐的今天,中国劳动力等同廉价的观念正在改

    2006年09期 8页 [查看摘要][在线阅读][下载 166K]

评论

  • 落水山鸡变凤凰——193nm浸没式光刻技术之回顾与展望

    汪辉;

    <正> 随着芯片特征尺寸的持续缩小,IC 制程的革新上演着一幕幕改朝换代的传奇故事。轻松的如铜互连 PK 铝互连,艰难的有 Low K、High K 材料部分替代 SiO_2。其中最富戏剧性的莫过于193nm 光刻技术对157nm 光刻的绝地大反击。2002年以前,业界普遍认为193nm 无法延伸到65nm 制程,而157nm 将成为主流技术。而如今浸没式光刻不但帮助193nm 重拾信心并成功延伸至65nm 制程,且193nm 浸没式光刻迅速成为45nm 制程的主流技术,并极可能继续向下延伸。浸没式光刻并非是一种新技术,从历史上看,在每一代光刻技术刚刚出

    2006年09期 12页 [查看摘要][在线阅读][下载 73K]

  • 中国浅沟槽隔离技术的专利调查分析

    中国半导体企业目前对于如何借鉴、应用现有专利技术来节约研发成本、缩短研发周期、避免专利侵权等问题还没有很深刻的认识。为了让更多企业能够借鉴已公开的专利技术,了解行业核心技术和其他企业的技术部署,北京市集佳律师事务所上海分所,对浅沟槽隔离技术(STI)中国专利申请进行了调研、分析。(全文见 www.sjchinamag.com)

    2006年09期 14页 [查看摘要][在线阅读][下载 168K]

专访_中国报道

  • 天时地利人和,林德蓄势待发

    钱敏;

    在集成电路制造行业中,气体和化学试剂所受的关注程度显然不及主流工艺设备,但是电子材料却犹如人体的血液一样,贯穿芯片制造的整个流程。目前,海外一流电子材料供应商正纷纷进入中国——这个亚太半导体制造业的心脏。今年5月25日,林德电子特种气体(苏州)有限公司启动,标志着国外首家电子特种气体生产工厂在华落户。

    2006年09期 16页 [查看摘要][在线阅读][下载 162K]

中国报道_工艺制造

  • 中芯国际纵横布局,迎接半导体产业新的增长期?

    王志华;

    <正> 作为世界领先的集成电路芯片代工厂之一,中芯国际集成电路制造有限公司已经在中国上海、天津和北京拥有芯片厂;6月底该公司宣布华中地区第一条12英寸集成电路生产线项目正式开工建设,中芯总裁兼总执行长张汝京出席了开工仪式。该项目由湖北省、武汉市和东湖高新技术区联合投资建设,产权归武汉新芯集成电路制造有限公司,委托中芯国际集成电路制造有限公司经营管理。以如此"委托经营管理"模式,中芯为自己新的高速发展找到了突破口。同时,中芯在封测业和太阳能电池上也积极主动,大有扩张之势。

    2006年09期 17页 [查看摘要][在线阅读][下载 64K]

中国报道

  • Hynix和ST拟筹7.5亿美元扩产无锡厂

    <正> 韩国芯片厂商海力士(Hynix Semiconductor)日前表示,计划筹资7.5亿美元投资基金,用于扩产其中国子公司。该子公司是 Hynix 与意法半导体(ST)的合资企业。Hynix 一位发言人表示,该公司计划在2007年6月底以前筹措到上述资金。这些资金将用于增加 Hynix-STSemiconductor(中国无锡)的内存晶圆生产线。他还表示,合资企业将获得来自19家中国金融机构的资金,包括中国工商银行。据称,这笔基金是向无锡内存晶圆生产线投入20亿美

    2006年09期 18页 [查看摘要][在线阅读][下载 99K]

  • 尚德3亿美元收购MSK

    <正> 无锡尚德(Suntech Power)目前已达成协议,将分为两步以现金加股票的形式收购日本太阳能电池制造商 MSK。据称,第一步预计在今年第三季度完成,无锡尚德以1.07亿美元现金收购 MSK 三分之二的股份,交易剩余部分将根据MSK 的收入在第二步支付,预计第二步将在2007年年底以前完成。

    2006年09期 18页 [查看摘要][在线阅读][下载 99K]

  • 设备材料

    <正> 道康宁和瓦克获准在华合建有机硅原料生产基地道康宁公司和德国瓦克化学股份(wacker)共同宣布,其合资生产企业道康宁(张家港)有限公司近日获得中国政府批准,将在华建立一个世界级的硅氧烷生产基地。据介绍,新生产基地坐落于张家港的江苏扬子江国际化学工业园。根据双方的合资协议,道康宁将负责硅氧烷工厂的建设和经营,而瓦克将负责气相二氧化硅工厂的建设和经营,目前气相二氧化硅工厂已经进入施工阶段。除硅氧烷工厂以

    2006年09期 18页 [查看摘要][在线阅读][下载 99K]

  • IC设计

    <正> 上海硅知识产权交易中心与 Ca-dence 签署合建 IP 研究院意向书为了面向上海、长三角及国内中小型 IC 企业提供 IP 全方位技术支持,提高国内的 IP 与 IC 设计服务水平,日前上海硅知识产权交易中心(SSIPEX)与 Cadence 签署合建 SSIPEX-Ca-dence IP 研究院,以围绕 IP 保护、复用、交换、交易等方面进行深入研究。Cadence 总部业务发展高级副总裁黄小立表示,目前中国的 IC 设计能力、EDA 应用水平并不落后于世界水平,唯独在 IP 领域显得较为薄弱,因此

    2006年09期 19页 [查看摘要][在线阅读][下载 201K]

  • 《半导体国际》晶圆清洗技术专家委员会宣布成立!

    <正> 8月10日,《半导体国际》第三届晶圆清洗技术研讨会在沪顺利举办,与会者络绎不绝;借此机会,《半导体国际》有幸邀请到来自晶圆厂和设备材料供应商的晶圆清洗方面权威的专家,成立"晶圆清洗技术专家委员会",以此更好地服务于中国的半导体制造产业,并不断提升《半导体国际》一年一度的晶圆清洗技术研讨会的含金量。期望在未来能够借

    2006年09期 22页 [查看摘要][在线阅读][下载 99K]

  • 晶圆清洗技术专家委员会成员介绍

    <正> 季华,中芯国际存储器技术开发中心助理主任,负责 MTD部门模组工艺开发,目前专注于90nm、110nm 和130nm 技术(DRAM.Flash 等)。拥有半导体领域超过15年的经验。1990年,加入上海贝岭任扩散工艺工程师;1994年,加入新加坡特许半导体 Fab2厂任薄膜工艺工程师,后转入 Fab6厂任薄膜工艺经理;2001年,加入茂矽位于 San Jose 的技术开发中心。曾获新加坡国立大学电子工程硕士学位。罗仕洲,毕业于国立台湾大学,于1995年获得化学工程学士学位;曾在中国台湾和中国大陆拥有湿法领域9年的工作经验。目前担任中芯国际 S1 Fab 湿法部门经理。

    2006年09期 22页 [查看摘要][在线阅读][下载 99K]

中国报道_研讨会速递

封面文章

  • 光刻模拟引领技术前沿

    Aaron Hand;

    随着半导体制造工艺迈进130纳米乃至更先进的技术节点,光刻技术由一门技术转变为一项科学已经成为一种无法逆转的趋势。现在生产商们正致力于提高技术的研发速度和成功率力求进一步提高产品的合格率以及尽早的抢占市场。

    2006年09期 23-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 1388K]

工艺与制造_前沿技术

  • 用单碳纳米管制作环型振荡器

    Peter Singer;

    <正> IBM 的研究人员围绕一个单碳纳米管(CNT)分子制作了第一个完整的电子集成电路:速度比以前论证的采用多纳米管的电路几乎快100万倍的环型振荡器。尽管它仍然比现在采用硅芯片得到的速度慢,但是 IBM 小组相信新的纳米制造工艺最终将挖掘出 CNT 电子学的超性能潜力。IBM Research 的科学与技术部副经理 T.C.Chen 说:"碳纳米管晶体管具有超越

    2006年09期 30页 [查看摘要][在线阅读][下载 175K]

工艺与制造

  • 自旋波研究的突破

    <正> UCLA 的 School of Engineering and Applied Science的工程师们宣布了关于半导体自旋波研究的关键突破。工程副教授 Mary Mehrnoosh Eshaghian-Wilner、研究员 Alexander Khitun 和 Kang Wang 教授采用他们首创并称之为"自旋波母线"的技术作为互连机理,创建了三种新型纳米尺寸计算结构。该三种纳米尺寸结构不仅节能,而且具有高级的互连性。Wang 说:"半导体电子器件小型化的进展一直预示着芯片特征已进入纳米尺寸。今日通用的基于 CMOS 的器件,不能在具有适合、有效功能的同时再进一步缩小

    2006年09期 30页 [查看摘要][在线阅读][下载 175K]

  • 设计与制造之间的界面优化

    JasonSweis;JudyHuckaby;BobNaber;TomLaidig;DougVanDenBroeke;FungChen;

    在设计商和制造商之间构建一种信息交流的平台可以提高产能和良率。

    2006年09期 34-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 783K]

  • 对DRAM结构中影响良率的缺陷进行监控

    UweStreller;CarlosMata;QimondaAG;MartinTuckermann;KLA-TencorGmbH;

    使用新型高分辨率暗视场检测概念可以成功地对高深-宽比结构中的残余物和浅沟槽隔离氧化物孔洞进行监控。通过与精确工艺步骤的紧密结合,可实现对潜在误差的快速响应并缩短学习周期。

    2006年09期 38-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 1117K]

  • 采用通孔双置技术提高设计鲁棒性

    Jeff Wilson;Mentor Graphics;Walter Ng;

    如果能采用通孔双置技术,就能有效提高良率,但如何做到是个问题。本文解释了各种良率损失的原因,及优化通孔双置的最好方法。

    2006年09期 42-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 693K]

工艺与制造_光刻

  • 光刻专家评选浸没式和EUV光刻技术

    Aaron Hand;

    <正> 根据5月份在温哥华举行的受邀光刻技术论坛披露的报告,最新发布的国际半导体技术蓝图(ITRS)中,半导体厂商和供应商就光刻的前景和未来达成了普遍的共识。对各项最新的光刻技术的研究表明,193纳米浸没式光刻技术将成为量产45纳米节点产品的首选,而EUV(极紫外)光刻技术将在32纳米节点上大展拳脚。

    2006年09期 31页 [查看摘要][在线阅读][下载 133K]

成品率管理_工艺与制造

  • 用于铜互连的更佳阻挡层

    Laura Peters;

    <正> 造成铜电迁移(EM)的主要因素之一是铜线与叠层势垒介质之间的弱界面。为了改善该界面,已经开发了新的自对准 CuSiN 工艺。Crolles2Alliance 和 NECElectronics 的研究人员于几个月前在加利福尼亚州Burlingame 召开的国际互连技术会议(IITC)上展示了他们的自对准 CuSiN 工艺的成果。为了使多层堆垛组保持低的有效介电常数,有必要用更低 k 的介质阻挡层。虽然以前节点中发生了从 SiN(k～7.0)到 SiCN(k～4.9)的改变,但是进一步向 SiC 阻挡层(k=3.5)的转变最初导致了可靠性退化。为了用 SiC 阻

    2006年09期 32页 [查看摘要][在线阅读][下载 148K]

封装与测试

  • 镀层方法增强铜键合丝

    John Baliga;

    <正> 作为金丝的替换方案,对铜引线键合丝的研究已经持续多年。这种替换最主要的驱动力来自于成本,特别在目前金价居高不下的情况下。铜键合丝的主要问题之一是第二次键合的强度较差。Sumitomo Electric 公司的研究人员发现通过在铜丝上电镀镀层可以在保持第一次键合质量的同时,提高第二次键合的强度。他们的研究成果最近发表在 IEEE Transactionson Advanced Packaging 杂志上。第二次(缝式)键合强度低的原因是铜丝的氧化,对于金丝来说就不存在这个问题。在引线丝上电镀一层抗氧化的金属层可以提高第二次键合的强度。铜丝上电镀金、银、钯和镍都可如愿地提高第二次键合的强度,但大部分情况下,第一次(球

    2006年09期 45页 [查看摘要][在线阅读][下载 823K]

检测,测试与测量

  • 探针卡简化测试和替换流程

    Alexander E.Braun;

    <正> 存储器件持续不断的降价压力要求降低测试成本。很多公司通过同时测试更多的器件来提高吞吐率。过去的几年里,测试探针卡的发展允许平行测试更多的器件——同时可测的待测器件(DUT)数量从32到64到128不断上升——减少了测试平台的数目。这样,通过在300 mm 晶圆上一次完成测试,而不是需要四次触底(TD)测试,提高了测试的吞吐率。通常测试一个 flash 芯片需要10分钟。在更换晶圆之前需要这么多时间,更换晶圆还另外需要两分钟。还需要三分钟时间更换晶圆舟;这样,只有约80%的时间是测试设备真正在测试晶圆。测试设备在并非测试晶圆的闲置

    2006年09期 46页 [查看摘要][在线阅读][下载 139K]

专题文章

新产品

  • 新产品

    <正> 碳化硅处理技术CVS 系列高温垂直扩散炉适用于离子注入后碳化硅器件的高温退火工艺。独特的炉管及加热系统的设计能够允许设备达到1850℃的高温。这套高温退火系统可以一次处理50片碳化硅基片,并兼容包括2",3",4"在内的各种不同尺寸的基片。基于这套设备的退火工艺能够实现高杂质激活率、低电阻以及低材料表面损伤

    2006年09期 55-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 1159K]

基础知识

  • 中国300mm晶圆厂的成品率管理

    张赞彬;

    <正> 当晶圆厂转向300mm、130纳米和90纳米工艺,并随着新的材料和工艺方法的引进,都为成品率管理带来独特的挑战和机会,那就是如何确保300mm 晶圆缺陷计划的新重点。晶圆厂向300mm 转型面临的技术挑战薄膜的平面,容易受到微尘颗粒、剥落、针孔和空洞等缺陷的影响。此外,当填充薄膜不能达到首要的填充功能时,其它一些独特的缺陷会以

    2006年09期 57页 [查看摘要][在线阅读][下载 115K]

  • 硼磷硅玻璃在集成电路中的应用

    杜明珠;

    <正> 硼磷硅玻璃(Boro-phospho-silicate Glass,BPSG),即掺杂了硼和磷的二氧化硅作为第一层金属前介电质(PMD)以及金属层间介电质(IMD)在 IC 制造中有着广泛

    2006年09期 58页 [查看摘要][在线阅读][下载 131K]

  • 上海市集成电路行业协会要闻

    <正> 2006年上半年上海集成电路产业持续高速发展据8月4日召开的上海市集成电路行业协会二届三次常务理事会披露的信息,2006年上半年,上海集成电路产业又实现了持续高速发展。据协会对113家企业经营情况的统计,上海集成电路产业总销售收入达185.52亿元人民币,比去年同期增长32.25%。其中芯片制造业销售收入为80.00亿元,同比增长29.91%;封装测试业销售收入为85.79亿元.同比增长27.15%;设计业销售收入为9.72亿元,同比增长80.36%;设备材料业销售收入为10.01亿元,同

    2006年09期 10页 [查看摘要][在线阅读][下载 730K]
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